台积电2纳米芯片性能提升仅15知情人士称试产良率超过60
芯片12月20日 台积电正在优化下一代芯片制程n2，也就是2纳米芯片。从最近泄露的信息看，n2的能效和密度的确优于n3，但可能提升的幅度没有那么大。
不论怎样，如果单看gpu，至少还有2代的进步空间。目前gpu采用的是n5制程。照估计，amd、英伟达都会向n3挺进，然后是n2；至于英特尔，不知道，因为它很危险，可能退出gpu竞争。也就是说，如果单看制程，未来一段时间仍然会有不错的进步。
有传闻称，不论是amd还是英伟达下一代gpu芯片，包括英伟达rtx 5090和blackwell，未来一段时间会继续使用5nm加强版（n5p）制程，实际上相当于n4。
台积电称n2性能相比n3提升15%
按照台积电的说法，n2的性能相比n3提升15%，也就是说在相同体积内植入的晶体管增加15%。
这听起来不错，有两点需要注意。首先，n2虽然相比n3只提升了15%，但相比n5和n4提升巨大。其次，台积电声称n2的sram密度有提升。实际上，sarm方面的提升已经遇到瓶颈，台积电说过n3相比n5没有进步，但n2会带来惊喜。n2的密度为38mb/mm^2，n3为33.55 mb/mm^2。
在大多芯片上，sram占据了很大的空间，无法缩小sram已经成为一个需要解决的难题，n2能在sarm方面取得进步，这的确是个好消息。
然后就是效率。台积电称，n3制程的能效提升25-30%。也就是说，同样的性能能耗会减少，相同的能则耗性能会更强。
如果进展顺利，n2芯片会在明年下半年开始零售，极有可能会出现在苹果产品上。
如果是pc，不论是amd还是英伟达产品，在未来一段时间仍会使用5nm加强版（n5p）制程。照预计，它们的产品会在2027年进入n3，2029年进入n2，至少要到2031年年初才能真正买到。
知情者称台积电2纳米试产良率超60%
知情者透露，台积电2纳米试产良率超过60%，高于预期，明年会量产。但英特尔前ceo pat gelsinger认为，用良率这一指标来衡量不太准确，因为大的晶圆良率低，小的良率高。也就是说，台积电的所说的良率只能作为参考。
目前全球约有99%的ai芯片都由台积电生产，3纳米需求仍然旺盛，2纳米对ai客户更有吸引力。
再看对手英特尔，它的18a生产线似乎遇到麻烦，良率不到10%。当然，pat gelsinger曾驳斥了这种说法。
韩国媒体报道称，明年三星和台积电的2纳米芯片会进入量产，但台积电占据上风，它已经公布详细的试产时间表，而且正在积极扩充产能。苹果是台积电的重要客户，它会率先采用2纳米技术，amd和英伟达随后入场。
产业人士认为，明年4月台积电会试产2纳米芯片，大规模量产要等到下半年。业界普遍认为，最先引入2纳米芯片的会是iphone。明年下半年三星电子也会试生产，大规模量产要等到四季度。
虽然2纳米带来一些提升，但研发成本、设计复杂度也在增加。2纳米涉及到更精密的焊接技术、更出色的晶圆平整度、更好的原子层沉积(ald) 技术，大多用来制造3纳米芯片的设备都需要更换或者调校。2纳米晶圆每块约为3万美元，相当于4纳米、5纳米晶圆的2倍。
台积电董事长刘德音说：“2纳米技术的需求已经超出供给，超过了3纳米的需求。”目前台积电正在努力扩大产能。在早期阶段，台积电的目标是每个月生产50000块2纳米晶圆。
在3纳米gaa方面，三星电子遭遇挫折，它正在努力恢复元气。进入2纳米赛场，三星电子希望能优化生产效率、巩固市场地位。年初时，三星电子与日本ai创业公司preferred networks签署合同，帮它生产2纳米ai芯片。（小刀）